全球范圍內(nèi),半導(dǎo)體大廠紛紛布局,IDM廠商意法半導(dǎo)體購并NorstelAB以及法國Exagan、英飛凌收購Siltectra,以及日商ROHM收購SiCrystal等事件都頗受業(yè)界關(guān)注。國內(nèi)方面,不少廠商圍繞第三代半導(dǎo)體材料爭取卡位時間。海特高新子公司海威華芯建立了國內(nèi)第一條6英寸砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線。據(jù)稱,其技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國外同行業(yè)先進(jìn)水平粗纖維測定儀廠家,部分產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)。賽微電子涉及第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù),主要包括GaN(氮化鎵)材料的生長與器件的設(shè)計。三安光電在長沙設(shè)立子公司湖南三安從事碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目,目前項目正處于建設(shè)階段。聚燦光電目前產(chǎn)品涉及氮化鎵的研發(fā)和生產(chǎn),外延片的技術(shù)就是研發(fā)氮化鎵材料的生長技術(shù),芯片的技術(shù)就是研發(fā)氮化鎵芯片的制作技術(shù)。今年8月,露笑科技投資100億建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園。露笑科技與合肥市長豐縣人民政府簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議,包括但不限于碳化硅等第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目,包括碳化硅晶體生長、襯底制作、外延生長等的研發(fā)生產(chǎn),項目投資總規(guī)模預(yù)計100億元。目前,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)較為成熟,并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。氧化鋅、金剛石粗纖維測定儀廠家、氮化鋁等材料的研究則仍處于起步階段。不過,即使是成熟度最高的碳化硅和氮化鎵,也在量產(chǎn)環(huán)節(jié)面臨諸多困難。氮化鎵的難度主要在于在晶格。當(dāng)前,氮化鎵發(fā)展瓶頸段仍在基板段,成本昂貴且供應(yīng)量不足,主要是因為氮化鎵長在硅上的晶格不匹配,困難度高。對于碳化硅,長晶的源頭晶種來源純度要求高、取得困難,另外,長晶的時間相當(dāng)長且長晶過程監(jiān)測溫度和制程的難度高。碳化硅長一根晶棒需時2周,成果可能僅3公分,也加大了量產(chǎn)的難度。
本文鏈接:http://www.jlzrpj-llz.cn//news/n664.html